无线电电子工业发展迅速，广泛应用于无线电通讯、无线电广播和电视、无线电遥测和遥控、电子计算机等生产方面。无线电电子设备已由电子管发展到晶体管以至集成电路。
电子工业可分为元件厂和整机厂两种。元件厂生产无线电元件、电子管、半导体(晶体管)、集成电路等。整机厂生产无线电控制设备、无线电通讯设备、雷达、电子计算机等。
无线电元件生产 无线电元件生产电容器、整流器、变压器、电表、电阻、话筒、喇叭等，种类比较繁多。其共同生产过程主要为： 材料制造—→零件制造—→表面处理—→装配—→检验—→成品。
各种工艺过程接触的有害因素有多种多样。
(1) 材料制造： ①云母片： 云母粉尘。②电容器纸：苯乙烯，甲苯。③喇叭纸： 酚醛树酯，硝酸纤维漆，甲苯，二甲苯，香蕉水，高温。④陶瓷： 石英粉尘，高温。⑤釉料： 铅尘。⑥三氧化铁： 铁粉尘。⑦粉银浆： 环己酮，硝酸银，正丁醇，硼酸铅，大茴香油，松香，三乙醇胺等十几种。
(2) 零件制造： ①瓷件： 石英粉尘，氧化铍粉尘。②磁体磁芯： 高温，高频电磁场，金属粉尘。③银片： 粉银浆。④各种外壳： 噪声。⑤纸盒： 香蕉水。⑥胶木零件： 酚醛树酯。⑦宝石轴承： 精细作业，粉尘，X射线。⑧碳膜片： 酚醛树脂。⑨漆包线： 酚醛树脂，甲醛。⑩金属零件： 铝尘。(11)游丝： 精细作业。
(3)表面处理： ①清洗： 酸，碱。②腐蚀： 三酸 (硫酸、硝酸、盐酸)，氢氟酸。③上釉： 铅。④电镀：三酸，氰化物，铬酸。⑤硒铋蒸发： 硒，铋，高温。⑥喷铅锡合金： 铅，高温。⑦熏硫： 硫磺，萘。⑧被碳： 三氯乙烯，正庚烷、硅酸、高温。⑨被银： 粉银浆。⑩上漆：甲苯。(11)浸蜡： 石英粉尘，氨，高温。(12)浸锡： 铅。(13)瓷体烧成： 高温，氢氧化铍。
(4) 装配： ①装片： 清洗浸锡时接触铅。②焊接：铅、锡、松香。③卷绕： 粘薄膜时接触二甲苯。
无线电元件从原材料制备到元件形成，接触毒物品种较多，除以上列举者外，对工人有影响的主要为粉尘，如陶瓷、铍、铝、铁及少量锰尘等，可引起尘肺、铍肺等。由于常用甲苯、二甲苯、三氯乙烯、汽油等有机溶剂以及铅烟、铅尘，可引起职业性中毒。其次为三酸、正丁醇、硝酸银、丙酮、酚醛树脂、环氧树脂、三乙醇胺、乙二胺、镍等有刺激作用，可引起接触性皮炎和过敏性皮炎。此外，还接触高频、噪声等物理因素。
预防措施可采用工艺改革如水爆清砂、电泳涂漆、无苯稀料，用无毒洗涤剂代替三氯乙烯等。
电子管生产 其生产过程是： 原料—→材料制备 (玻璃熔炼，钨丝，钼丝，镍带，铁带，镀镍铁带)—→零件制造(玻壳，芯柱，管针，金属零件，阴栅极，热丝，消气剂)—→表面处理 (电镀，零件清洗，腐蚀，热处理)—→装配 (装架，封口，排气，老炼，烤消，试验)—→检验—→打印—→成品。
电子管生产过程中的有害因素分列如下：
(1) 材料制备： ①玻璃配料： 石英粉，铅丹，三氧化二砷，碳酸钾。②玻璃熔炼： 石英粉，铅丹，三氧化二砷，高温。③钨丝： 硝酸钍，三氧化钨粉，氨，石墨乳。④钼丝： 硝酸钍，三氧化钼粉，氨，石墨乳。⑤镍带： 三酸，汽油。⑥镀镍铁皮： 三酸。
(2) 零件制造： ①玻壳： 石英粉尘，铅丹，三氧化二砷，煤气，高温。②芯柱： 高温，煤气。③管针：硫酸，盐酸。④金属零件： 三氯乙烯，汽油。⑤阴栅极：噪声。⑥热丝： 甲醇，丙酮，汽油。⑦消气剂： 金属钼粉，铅粉，铈，锶，硝棉溶液，钍粉。⑧磁芯： 粉尘。
(3) 表面处理： ①电镀： 三酸，碱，氰化物，硫酸铜，硫酸镍，铬酸。②零件清洗： 三氯乙烯，汽油，三酸。③腐蚀： 三酸，氢氟酸。④热处理： 氢氧化钠，盐酸。
(4) 装配： ①装架： 精细作业。②封口： 高温，高频，煤气。③排气： 汞，X射线，高频。④老炼： 高温。⑤烤消： 高温，高频。⑥试验： 噪声，振动。
(5) 检验： 精细作业。
(6) 打印： 丙酮。
电子管的零件细小，其大小以微米计，均为精细作业。一般工人入厂3～4年后视力明显减退，要配戴眼镜。工作7年以上工人多凭经验摸索操作，或调换工作。
预防措施，精细作业要合理照明，增加工间操、眼睛保健操等。高频采用铜丝网屏蔽或隔离。
晶体管生产
锗合金管 其生产过程是：①锗单晶切片。②锗片化学腐蚀： 用双氧水、甲苯清洗。③零件清洗： 铟球、铟镓球、镍架、锡环用丙酮、硝酸、磷酸、冰醋酸腐蚀。④装石墨船： 装上下摸，锡片，镍支架，锗片装入石墨船。⑤烧结： 石墨船送入炉中烧结。⑥化腐电解： 用丙酮去油，用过氧化氢、氢氧化钠、氢氟酸腐蚀。⑦涂胶： 用硅胶、甲苯、丙酮。⑧管芯装配(点焊管座)： 刮铟、装结、点焊过程用乙醇、盐酸。⑨封帽： 用丙酮去油，用硅脂、甲基硅油、分子筛配制硅脂分子筛，装入管帽，与管子冷焊。⑩老化筛选： 涂边胶用丙酮、甲苯。晶体管通电老化。(11)成测分类： 测试接触微波。(12)打印： 用丙酮。
从晶体管元件及材料制备到成品接触的毒物品种很多，零件又非常细小，对健康有危害的主要有苯、甲苯、二甲苯、四氯化碳、盐酸、磷酸、硝酸、氢氟酸、酮类以及高频、微波。
硅平面晶体管 其生产过程是： ①切、磨、抛： 单晶硅切割成片，然后用金刚砂进行研磨，再用抛光粉进行抛光。②硅片清洁： 用丙酮、四氯化碳、硫酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、重铬酸钾清洗。③外延： 四氯化硅蒸气通入石英管，用氢气还原。单晶硅片高频加热，在其上生长一层单晶硅层。④一次氧化 (基区氧化)：硅片装在石英船上，放进高温炉中，通入氧气进行氧化，在表面生长一层二氧化硅保护硅层。⑤一次光刻(基区光刻)：涂感光胶(由聚乙烯醇肉桂酸酯、5-硝基苊、环己酮配制而成)，前烘，曝光，显影 (用显影剂丁酮、甲醇)，坚膜，腐蚀氧化膜(用氢氟酸、氟化铵)，除去感光胶 (用硫酸煮沸)。⑥硼预扩散 (基区扩散)：由刻去氧化层的窗口用硼酸三甲酯、硼酸三丙酯、三溴化硼等液态源硼向硅片内进行基区扩散。⑦硼扩散： 将硼预扩散过的硅片放入主扩散炉进行主扩散，通氧，升温，同时进行二次氧化。⑧二次光刻(发射区光刻)。⑨磷扩散： 用三氯氧磷或五氧化二磷作为扩散杂质源，用氮气作携带气体，加温扩散形成发射区。⑩三次氧化。(11)三次光刻 (引线孔光刻)。(12)蒸铝： 抽真空，加热，在硅片上发射区和基区蒸发上一层铝，作为欧姆接触电极。(13)四次光刻(铝光刻)：光刻铝，刻出引线，作为电极引线。(14)中间测试。(15)划片： 将硅片上管芯划开。(16)烧结： 将管芯烧结在管壳的底盘上。(17)键合： 用金丝或硅铝丝通过热压键合，将发射极、基极与底座管脚连接。安装时要涂上一层保护胶。(18)封帽： 将管芯密封在管壳内。(19)成品测试。(20)包装、打印。
为了保持硅片清洁，反复进行化腐清洁需用三酸、重铬酸钾、氢氟酸腐蚀，用溶剂如丙酮、乙醇、四氯化碳去蜡、去脂。这些化学物对皮肤粘膜有刺激作用，但用量不大。如能在通风橱内操作，加强通风，则影响不大。外延工序接触四氯化硅，刺激作用较大。在暗室中进行光刻及测试，可引起视力疲劳。甩胶接触溶剂环己酮，浓度较大时有麻醉作用。扩散工序接触高温;三氯氧磷、硼酸三甲酯蒸发气体有刺激作用。硅平面晶体管生产的主要危害为刺激性气体、有机溶剂。此外，尚有高温、高频、超净环境的作用，可有神经衰弱综合征和粘膜刺激症状。
砷化镓单晶 其生产过程是： ①容器 (反应管、石英舟、升华管) 清洁： 用氢氧化钠溶液、王水清洁。②砷的升华： 砷放入升华管内，升华管放入升华炉内，升温升华。③砷脱氧： 砷在高真空中加热，除去砷表面的微量氧化膜。④镓脱氧： 镓在高真空中加氧，除去表面的微量氧化膜。⑤砷化镓的合成和单晶生长： 砷与镓在反应炉中反应管内升温生长单晶。
在清洁过程中接触三酸及氢氧化钠，有腐蚀作用，应避免溅到皮肤上，并加强通风。砷升华、砷脱氧、拉单晶在加温时，如石英管破裂可形成三氧化二砷烟，吸入后可引起砷中毒。此时应关闭操作室，进行通风排毒。
半导体集成电路 这是在同一块半导材料上制造晶体管、电阻、电容。这些元件都采用蒸发形成的金属条线连接，形成一个完整的电路，即集成电路。生产方法与平面晶体管方法相同，只是增加隐埋和隔离工艺。其生产过程是： 切、磨、抛→隐埋层氧化→光刻隐埋层→隐埋层扩散(锑) →外延→隔离区氧化→光刻隔离区→隔离区扩散(硼)→光刻基区→基区扩散(硼) →光刻发射区→发射区扩散→光刻引线孔→蒸发铝层→反刻电板→合金化→初测→划片→引线压焊→封管→工艺筛选→总测。
隐埋层氧化系在硅片表面氧化。在氧化膜上刻蚀出隐埋层扩散的窗口，然后用三氧化二锑作扩散源进行隐埋层扩散，形成高杂质浓度的隐埋层。然后去除表面氧化层，外延生长外延层。以后进行隔离工艺，在外延层生长一层氧化膜，用光刻方法刻蚀出隔离的窗口，再进行高浓度硼扩散，将外延层分割成被硼扩散包围的孤离的小岛。以后即在此小岛上进行基区硼扩散和发射区磷扩散。
生产性有害因素及预防措施可参见晶体管生产。
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